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申请/专利权人：东莞联桥电子有限公司
摘要：本发明提供一种二阶高频HDI电路板制作方法，包括以下步骤：前处理→第一内层→第一压合→第一研磨→第一钻孔→一次PTH电镀→树塞研磨→第二内层→L3‑L6层飞针测试→第二压合→第二研磨→第一棕化→第一镭射钻孔→第二镭射钻孔→第一填孔电镀→第一钻通孔→第一电镀→第三内层→L2‑L7层飞针测试→第三压合→第三研磨→第二棕化→第三镭射钻孔→第四镭射钻孔→第二填孔电镀→第二钻通孔→第二电镀→砂带研磨→干膜→蚀刻→L1‑L8层飞针测试→防焊→文字→化金→成型→电测→FQC→包装。消除树塞研磨步骤中出现的鼓包情况，有效解决偏孔以及孔铜不足的情况，直接提升产品质量。
主权项：1.一种二阶高频HDI电路板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理→第一内层→第一压合→第一研磨→第一钻孔→一次PTH电镀→树塞研磨→第二内层→L3-L6层飞针测试→第二压合→第二研磨→第一棕化→第一镭射钻孔→第二镭射钻孔→第一填孔电镀→第一钻通孔→第一电镀→第三内层→L2-L7层飞针测试→第三压合→第三研磨→第二棕化→第三镭射钻孔→第四镭射钻孔→第二填孔电镀→第二钻通孔→第二电镀→砂带研磨→干膜→蚀刻→L1-L8层飞针测试→防焊→文字→化金→成型→电测→FQC→包装；在进行所述树塞研磨步骤前先对基板进行表面处理，去除基板表面的杂质，随后，对位于基板靠近侧边缘处的铆钉孔采用薄膜进行贴紧封孔；完成树塞研磨步骤后，撕走薄膜；将靠近侧边缘处的铆钉孔的孔径加大，去掉铆钉孔内残留的铜；在进行所述第一镭射钻孔、第二镭射钻孔、第三镭射钻孔、第四镭射钻孔步骤时，使用LDI曝光机作业，与镭射钻孔板的系数逐一对应，增加干膜显影确认出现层偏的孔和靶环，对应调整钻孔系数。
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权利要求：
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