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申请/专利权人：华厦镓碳科技(深圳)有限公司;华厦半导体(深圳)有限公司;华厦半导体(宁波)有限公司
摘要：本发明公开了一种高纯镓结晶晶种加注方法与装置，涉及金属镓提纯技术领域。该方法包括以下步骤：1将待提纯镓溶液装入容器内；2往容器中充入惰性保护性气体后进行冷却；3将温度为21‑29℃的晶种通过晶种加注杆注入容器中；4将温度为20‑28℃的晶种通过晶种加注杆注入容器中，得到固态镓以及未结晶的液态含镓物料；5去除未结晶的液态含镓物料，升温至35‑50℃，将固态镓融化，得到融化后的镓液；6将融化后的镓液重复步骤2至步骤5，得到高纯镓。本发明通过分两步往待提纯镓溶液中加入温度与粒径均不相同的晶种，该方法有利于减少结晶时间，提高效率。
主权项：1.一种高纯镓结晶晶种加注方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将待提纯镓熔液装入容器内；（2）往容器中充入惰性保护性气体后进行冷却，冷却后的待提纯镓熔液的温度为25-29℃；（3）将温度为21-29℃的晶种通过晶种加注杆注入容器中，布晶位置为容器半径的12-34处，布晶后静置0.5-1.5h；（4）将温度为20-28℃的晶种通过晶种加注杆注入容器中，布晶位置为容器的中心至容器半径的13处，得到固态镓以及未结晶的液态含镓物料；（5）待容器中的固态镓达到待提纯镓熔液的重量的50-90%后，去除未结晶的液态含镓物料，升温至35-50℃，将固态镓融化，得到融化后的镓液；（6）将融化后的镓液重复步骤（2）至步骤（5）5次以上，得到高纯镓；所述的容器半径是指从容器中心至容器侧壁的距离；步骤（3）中，注入容器中的晶种的粒径为500μm-2cm；步骤（4）中，注入容器中的晶种的粒径为2-6cm且步骤（4）中晶种的温度低于步骤（3）中晶种的温度；步骤（4）中晶种的粒径大于步骤（3）中晶种的粒径。
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百度查询： 华厦镓碳科技(深圳)有限公司 华厦半导体(深圳)有限公司 华厦半导体(宁波)有限公司 一种高纯镓结晶晶种加注方法与装置
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