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申请/专利权人：电子科技大学

摘要：本发明提供一种低密勒电容的MOSFET器件及制备方法，包括重掺杂第一导电类型半导体衬底、轻掺杂第一导电类型半导体外延层、重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片、栅极介质层、N型多晶硅、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体轻掺杂漏区、重掺杂第二导电类型半导体漏极接触区、重掺杂第二导电类型源区、P型多晶硅、源极金属场板下方绝缘介质层、源极金属场板、源极金属场板与漏极金属隔离介质层、漏极金属、源极金属；本发明提供的一种低密勒电容的MOSFET器件，其栅极包含两种不同掺杂的多晶硅，所形成的多晶硅PN结引入了多晶硅PN结耗尽区电容，与器件原有的密勒电容串联，整体密勒电容减小。

主权项：1.一种低密勒电容的MOSFET器件，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型半导体衬底1、轻掺杂第一导电类型半导体外延层2、重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片3、栅极介质层4、N型多晶硅5、第一导电类型半导体体区6、第二导电类型半导体轻掺杂漏区7、重掺杂第二导电类型半导体漏极接触区8、重掺杂第二导电类型源区9、P型多晶硅10、源极金属场板下方绝缘介质层11、源极金属场板12、源极金属场板与漏极金属隔离介质层13、漏极金属14、源极金属15；其中，所述轻掺杂第一导电类型半导体外延层2位于重掺杂第一导电类型半导体衬底1的上表面；所述重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片3位于轻掺杂第一导电类型半导体外延层2内左侧，并连通重掺杂第一导电类型半导体衬底1和源极金属场板12；所述第一导电类型半导体体区6位于轻掺杂第一导电类型半导体外延层2的左上部，且左侧与重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片3以及源极金属场板12相接触，右侧与第二导电类型半导体轻掺杂漏区7相接触；所述第二导电类型半导体轻掺杂漏区7位于轻掺杂第一导电类型半导体外延层2的右上部，第二导电类型半导体轻掺杂漏区7内部右上方具有重掺杂第二导电类型半导体漏极接触区8；所述重掺杂第二导电类型源区9位于第一导电类型半导体体区6的左上侧，且重掺杂第二导电类型源区9左侧与源极金属场板12相接触；所述N型多晶硅5与第一导电类型半导体体区6通过栅极介质层4相隔离；所述P型多晶硅10位于N型多晶硅5右侧且两者相互接触；栅极介质层4上表面覆盖源极金属场板下方绝缘介质层11，所述源极金属场板下方绝缘介质层11包围N型多晶硅5和P型多晶硅10；所述源极金属场板12位于源极金属场板下方绝缘介质层11上表面；源极金属场板下方绝缘介质层11上表面覆盖源极金属场板与漏极金属隔离介质层13，所述源极金属场板与漏极金属隔离介质层13包围源极金属场板12；所述漏极金属14位于源极金属场板与漏极金属隔离介质层13上表面，通过接触孔伸入半导体材料中并与重掺杂第二导电类型源区9相接触；所述源极金属15位于器件的下表面。

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