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申请/专利权人：常州大学
摘要：本发明公开了一种VDMOS器件结构的三极管显示器，包括多个像素，每个像素包括三个子像素单元；驱动背板承载多个像素；所述子像素单元包括VDMOS器件，所述VDMOS器件设置在驱动背板上，且覆盖至少一个所述过孔。本发明减少了响应时间，提高了显示亮度，具有高分辨率、高亮度、高对比度和低响应时间的显示功能。
主权项：1.一种VDMOS器件结构的三极管显示器，其特征在于，包括：多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，包括红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元；驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；所述子像素单元包括阳极、VDMOS器件、ITOTiN薄膜层和LED发光单元，所述阳极设置在驱动背板上，且覆盖至少一个所述过孔，所述VDMOS器件设置在阳极远离驱动背板的一侧，所述ITOTiN薄膜层包括上下堆叠设置的ITO薄膜层和TiN薄膜层，所述TiN薄膜层设置在VDMOS器件上远离驱动背板的一侧，所述ITO薄膜层设置在TiN薄膜层上远离驱动背板的一侧，所述LED发光单元设置在ITO薄膜层上远离驱动背板的一侧；所述VDMOS器件包括NPN型半导体层、SiN侧壁保护层、栅极绝缘层和栅极，所述NPN型半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述ITOTiN薄膜层设置在NPN型半导体层远离驱动背板的一侧，所述SiN侧壁保护层设置在ITOTiN薄膜层上表面四周，形成SiN槽，所述栅极绝缘层包覆在SiN侧壁保护层、ITOTiN薄膜层和NPN型半导体层的外侧壁上，所述栅极设置在栅极绝缘层的侧壁上，所述栅极绝缘层的垂直剖面为L型结构，且栅极底面与栅极绝缘层接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州大学 一种VDMOS器件结构的三极管显示器
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