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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本公开涉及一钝化层的刻蚀方法、半导体结构，钝化层设于金属层上，钝化层包括依次叠置在金属层上的多层介质层；刻蚀方法包括：在第一工艺条件下，采用第一气体刻蚀钝化层，刻蚀至钝化层的底层介质层；调整工艺条件至第二工艺条件，并将第一气体调整为第二气体，刻蚀底层介质层与金属层，在刻蚀底层介质层与金属层的过程中，抽吸去除第二气体与底层介质层、金属层的反应产物。在刻蚀至底层介质层之前采用第一气体刻蚀介质层，刻蚀至底层介质层后调整刻蚀气体，采用第二气体刻蚀底层介质层与金属层，降低刻蚀金属层产生的低蒸汽压非挥发性副产物的产生量，从根源减少非挥发性副产物残留对器件产生的不良影响，有利于提高器件的性能与品质。
主权项：1.一种钝化层的刻蚀方法，其特征在于，钝化层设于金属层上，所述钝化层包括依次叠置在所述金属层上的多层介质层；所述刻蚀方法包括：在第一工艺条件下，采用第一气体刻蚀所述钝化层，刻蚀至所述钝化层的底层介质层；调整工艺条件至第二工艺条件，并将所述第一气体调整为第二气体，刻蚀所述底层介质层与所述金属层，在刻蚀所述底层介质层与所述金属层的过程中，抽吸去除所述第二气体与所述底层介质层、所述金属层的反应产物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 钝化层的刻蚀方法、半导体结构
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