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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决电容器良率低的技术问题。该半导体结构的制作方法包括：形成沿第一方向依次堆叠设置的n个叠层结构，每个叠层结构中形成有多个间隔设置且沿第一方向延伸的第一电极，相邻两个叠层结构中的多个第一电极相对应，且相对应的第一电极相接触，n为大于1的正整数；去除每个叠层结构中的部分叠层结构，以暴露每个叠层结构中的各第一电极的至少部分外周面；至少在第一电极至少部分表面上形成介质层；在介质层上形成第二电极。通过将第一电极分层制作且沿堆叠方向连接，降低了所需刻蚀用于容纳第一电极的孔洞的深度，保证孔洞的结构，从而提高电容器的良率。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：形成沿第一方向依次堆叠设置的n个叠层结构，每个所述叠层结构中形成有多个间隔设置且沿所述第一方向延伸的第一电极，相邻两个所述叠层结构中的多个所述第一电极相对应，且相对应的所述第一电极相接触，所述n为大于1的正整数；去除每个所述叠层结构中的部分所述叠层结构，以暴露每个所述叠层结构中的各所述第一电极的至少部分外周面；在所述第一电极至少部分表面上形成介质层；在所述介质层上形成第二电极。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法
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