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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明公开了一种冷阴极点电子源的发射面积测量方法和装置，包括：获取场离子显微镜实验的粒子分布面放大倍数；所述场离子显微镜实验在第一预设条件下实施；获取场电子显微镜实验下冷阴极电子发射产生的荧光面积；所述场电子显微镜实验在第二预设条件下实施；通过模拟确定场离子显微镜和场电子显微镜在相同结构下放大倍数之间的对应关系，根据所述荧光面积、对应关系和所述粒子分布面放大倍数确定冷阴极电子发射面积。本发明实施例能够通过实验方式准确测量冷阴极点电子源发射面积的真实值，可广泛应用于真空电子器件技术领域。
主权项：1.一种冷阴极点电子源的发射面积测量方法，其特征在于，包括：获取场离子显微镜实验的粒子分布面放大倍数；所述场离子显微镜实验在第一预设条件下实施；获取场电子显微镜实验下冷阴极电子发射产生的荧光面积；所述场电子显微镜实验在第二预设条件下实施；通过模拟确定场离子显微镜和场电子显微镜在相同结构下放大倍数之间的对应关系，根据所述荧光面积、所述对应关系和所述粒子分布面放大倍数确定冷阴极电子发射面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 冷阴极点电子源的发射面积测量方法和装置
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