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申请/专利权人：派恩杰半导体(杭州)有限公司

摘要：本发明涉及半导体技术，公开了一种塑封BOOST半导体模块及封装结构，其温度监测焊接端口区连接有温度引脚，温度引脚包括温度监测第一引脚和温度监测第二引脚；上桥芯片焊接及键合区有上桥芯片引脚焊接区，上桥芯片引脚焊接区连接有上桥芯片引脚；开尔文源极引脚焊接区连接有开尔文源极引脚，栅极引脚焊接区连接有栅极引脚，漏极引脚焊接区连接有漏极引脚，功率源极焊接键合区连接有功率源极引脚；本发明设计的半导体模块，通过塑封的方式降低了材料成本和封装耗时，并缩小了半导体模块的尺寸；铜桥键合的工艺使得半导体模块能够通过更高的电流；同时允许多个单相半导体模块进行并联连接即可实现多相的BOOST电路。

主权项：1.一种塑封BOOST半导体模块，其特征在于，包括：底板基板和散热基板，底板基板和散热基板形成一半导体腔体，底板基板上设有导电层，导电层位于半导体腔体内；半导体腔体包括第一方向上相对的第一边和第三边，第二方向上相对的第二边和第四边；第一边、第二边、第三边和第四边首尾相接；在第一方向，导电层上相对设置有上桥区域和下桥区域，其中，上桥区域位于第一边所在一侧，下桥区域位于第三边所在一侧；上桥区域包括上桥芯片焊接及键合区和温度监测焊接端口区；温度监测焊接端口区靠近第一边和第四边连接处；下桥区域包括下桥芯片漏极焊接及键合区、漏极引脚焊接区、栅极引脚焊接区、开尔文源极引脚焊接区和功率源极焊接键合区；功率源极焊接键合区靠近第三边和第四边连接处；第二边一侧依次设有功率源极焊接键合区、开尔文源极引脚焊接区、栅极引脚焊接区和漏极引脚焊接区，且功率源极焊接键合区靠近第四边一侧，漏极引脚焊接区靠近第二边及第三边连接处；下桥芯片漏极焊接及键合区靠近上桥芯片焊接及键合区；多个上桥芯片和多个下桥芯片，多个上桥芯片安装于上桥芯片焊接及键合区，多个下桥芯片安装于下桥芯片漏极焊接及键合区；多个上桥芯片连接单元和多个下桥芯片连接单元，多个上桥芯片相互之间通过上桥芯片连接单元电连接，多个下桥芯片、功率源极焊接键合区相互之间通过下桥芯片连接单元电连接；下桥芯片漏极焊接及键合区上设有区域连接点，上桥芯片连接单元通过区域连接点与下桥区域电连接；多个引脚，温度监测焊接端口区连接有温度引脚，温度引脚包括温度监测第一引脚和温度监测第二引脚；上桥芯片焊接及键合区有上桥芯片引脚焊接区，上桥芯片引脚焊接区连接有上桥芯片引脚；开尔文源极引脚焊接区连接有开尔文源极引脚，栅极引脚焊接区连接有栅极引脚，漏极引脚焊接区连接有漏极引脚，功率源极焊接键合区连接有功率源极引脚；功率源极引脚、开尔文源极引脚、栅极引脚和漏极引脚沿着第二边依次排列；上桥芯片引脚为丁字形下弯引脚；上桥芯片焊接及键合区还连接有多相引脚，多相引脚为丁字形平边引脚。

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