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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请提供了一种NAND存储单元、NAND存储器及其访问方法。该NAND存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和电容；电容的第一极与读字线连接，电容的第二极与第一晶体管的栅极连接，第一晶体管的栅极作为存储节点，用于存储写入的电信号；第一晶体管的栅极与第二晶体管的第一极连接，第一晶体管的第二极被配置为与源极线藕接，第二晶体管的栅极与写字线连接；第一晶体管的第一极和第二晶体管的第二极，被配置为与同一条位线藕接；或者，被配置为与不同的位线藕接。本申请实施例无需在控制栅极和沟道之间施加一个较高的电压完成擦除和写操作，从而提高了NAND存储器的擦除和写操作的速度并且能够降低功耗，改善存储器可靠性，提高存储器的使用寿命。
主权项：1.一种NAND存储单元，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管和电容；所述第一晶体管被配置为读晶体管，所述第二晶体管被配置为写晶体管；所述电容的第一极与读字线连接，所述电容的第二极与所述第一晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的栅极作为存储节点，用于存储写入的电信号；所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极连接，所述第一晶体管的第二极被配置为与源极线耦接，所述第二晶体管的栅极与写字线连接；所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第二极，被配置为与同一条位线耦接；或者，被配置为分别与不同的位线耦接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 NAND存储单元、NAND存储器及其访问方法
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