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申请/专利权人：日月新半导体(昆山)有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体是一种新型集成电路功率器件，包括有芯片，所述芯片的背部设置有多层金属结构，所述芯片和多层金属结构均设置在金属框架的上端。本发明采用扩散焊接的方式代替了传统焊料焊接，能在较低温度下实现芯片与金属框架之间的固定，显著降低了热应力，减少了芯片裂纹和焊层剥离的风险，从而提升了整个封装结构的长期可靠性和热循环稳定性。
主权项：1.一种新型集成电路功率器件，其特征在于，包括有芯片1，所述芯片1的背部设置有多层金属结构2，所述芯片1和多层金属结构2均设置在金属框架3的上端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月新半导体(昆山)有限公司 新型集成电路功率器件
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