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申请/专利权人:欧门科技股份有限公司
摘要:一种半导体制程,包括:提供待加工电子组件于一腔体内部;提升该腔体内部的温度及压力至第一温度与第一压力,并维持一第一时间段;降低该腔体内部的压力至第二压力,然后回复至常压,保持该腔体内部的温度为该第一温度,并持续一第二时间段;通入氮气或惰性气体至该腔体内部,使该腔体内部的压力增大至该第一压力并提供低氧环境,提升该腔体内部的温度至第二温度,持续一第三时间段;提升该腔体内部的温度及压力至第三温度与第三压力,并维持一第四时间段;提升该腔体内部的温度至第四温度,维持该腔体内部的压力为该第三压力,持续一第五时间段;通过冷热交换器降温,通过调整冷热交换器的介质温度以改变腔体内部降温的速率。
主权项:1.一种半导体制程,其特征在于,包括:提供待加工电子组件于一腔体内部;提升该腔体内部的温度及压力至第一温度与第一压力,并维持一第一时间段;降低该腔体内部的压力至第二压力,然后回复至常压,保持该腔体内部的温度为该第一温度,并持续一第二时间段;通入氮气或惰性气体至该腔体内部,使该腔体内部的压力增大至该第一压力并提供低氧环境,提升该腔体内部的温度至第二温度,持续一第三时间段;提升该腔体内部的温度及压力至第三温度与第三压力,并维持一第四时间段;提升该腔体内部的温度至第四温度,维持该腔体内部的压力为该第三压力,持续一第五时间段;通过冷热交换器降温,通过调整冷热交换器的介质温度以改变腔体内部降温的速率;其中,该待加工电子组件为待加工半导体芯片封装结构。
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百度查询: 欧门科技股份有限公司 半导体制程及设备
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