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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本文公开了组合物和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括以下操作。在衬底上形成保护层，其中所述保护层由包含具有聚合物主链和端基的聚合物的组合物形成。所述聚合物主链通过使包含第一单体的单体组合物聚合而形成，并且所述第一单体各自独立地具有被1、2、3、4或5个羟基取代的芳基。所述端基包括：或它们的组合。A为经取代的或未经取代的烃基。B为羟基、烷基或氟代烷基。在所述保护层上形成光致抗蚀剂层。将所述光致抗蚀剂层图案化。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成保护层，其中所述保护层由包含具有聚合物主链和端基的聚合物的组合物形成，所述聚合物主链通过使包含第一单体的单体组合物聚合而形成，所述第一单体各自独立地具有被1、2、3、4或5个羟基取代的芳基，所述端基包括： 或它们的组合，A为经取代的或未经取代的烃基，并且B为羟基、烷基或氟代烷基；在所述保护层上形成光致抗蚀剂层；以及图案化所述光致抗蚀剂层。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 组合物和制造半导体器件的方法
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