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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种肖特基二极管的制作方法。在p型区之间的肖特基接触区域引入介质层，形成MIS结构，在正向偏压下，肖特基结率先导通，同时相较于传统结势垒肖特基二极管，MIS结构耗尽区更窄，因此本发明器件具有更大的有效导通面积，能够降低器件的导通电阻，进而降低导通损耗；而在反向偏压下，MIS结构能够降低肖特基结由于势垒降低效应和隧穿效应等因素而产生的漏电流，从而提高了器件的击穿电压。
主权项：1.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.通过MOCVD在n型导电衬底1上外延生长器件漂移区2；S2.通过ICP刻蚀台面进行器件隔离；S3.在器件漂移区2上沉积掩膜层3SiO2，去除器件需形成p型区域4位置处的SiO2掩膜层3；S4.采用离子注入方法注入p型掺杂剂，完成后使用缓冲氢氟酸溶液去除SiO2掩膜层3，通过退火工艺激活掺杂，形成p型区域4；S5.在n型器件漂移区2上生长介质层5，在介质层5上涂覆光刻胶，曝光显影后露出需要去除介质层5的区域，使用缓冲氢氟酸溶液选择性刻蚀未被光刻胶覆盖的介质层5，且不去除台面区域的介质层5，以形成场板结构；所述场板结构位于相邻的p型区域4之间；最后，使用丙酮去除光刻胶；S6.在衬底1上采用电子束蒸发法或磁控溅射法蒸镀TiAlNiAu形成欧姆接触电极作为二极管阴极6；S7.采用电子束蒸发法或磁控溅射法在器件的正面蒸镀NiAu形成肖特基电极，采用剥离的方法选择性留下电极，作为二极管阳极7；其中，肖特基电极与p型区域4和场板结构之间暴露的n型器件漂移区2接触。
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权利要求：
百度查询： 中山大学 一种肖特基二极管的制作方法
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