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半导体结构及其制作方法 

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申请/专利权人:苏州晶湛半导体有限公司

摘要:本公开涉及一种半导体结构及其制作方法,该半导体结构包括:驱动衬底,与该驱动衬底连接的第一外延结构以及与该第一外延结构连接的第二外延结构,驱动衬底通过金属电极选择性地与第一外延结构的第一半导体层和第二半导体层以及第二外延结构的第三半导体层和第四半导体层连接,以独立地控制所述第一外延结构和所述第二外延结构。一方面,能够实现在同一驱动衬底上同时具有两种主发光波长的两个发光单元,进而实现高显色指数的LED白色背光;另一方面,能够实现两个发光单元的独立控制,进而实现LED的全彩显示。

主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:驱动衬底3,第一外延结构1,其与所述驱动衬底3连接,所述第一外延结构1包括第一半导体层101、第二半导体层102和位于所述第一半导体层101与所述第二半导体层102之间的第一发光层103,所述第一半导体层101和所述第二半导体层102的导电类型相反,所述第一半导体层101位于所述第一外延结构1的靠近所述驱动衬底3的一侧;以及第二外延结构2,其与所述第一外延结构1连接,所述第二外延结构2包括第三半导体层201、第四半导体层202和位于所述第三半导体层201与所述第四半导体层202之间的第二发光层203,所述第三半导体层201和所述第四半导体层202的导电类型相反,所述第二半导体层102和所述第四半导体层202的导电类型相同,所述第四半导体层202位于所述第二外延结构2的靠近所述第一外延结构1的一侧,以使所述第四半导体层202与所述第二半导体层102连接;其中,所述驱动衬底3通过金属电极分别与所述第一半导体层101、所述第二半导体层102、所述第三半导体层201和所述第四半导体层202连接,以独立地控制所述第一外延结构1和所述第二外延结构2。

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