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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请涉及一种半导体叠层结构及其形成方法。所述半导体叠层结构的形成方法包括：于衬底中形成基准对准标记；根据第一叠层结构中待堆叠的膜层材料及单层膜层厚度，基于基准对准标记进行衍射光强仿真，以确定第一叠层结构的膜层层数；根据膜层层数于衬底上形成第一叠层结构，第一叠层结构包含由至少两种不同材料交替层叠的多个膜层；于第一叠层结构中形成参考对准标记，参考对准标记在衬底上的正投影位于基准对准标记在衬底上的正投影外。本申请所提供的半导体叠层结构的形成方法可以提高半导体叠层结构中各膜层的对准精确度，以提高晶圆对准的可靠性和准确性。
主权项：1.一种半导体叠层结构的形成方法，其特征在于，包括：于衬底中形成基准对准标记；根据第一叠层结构中待堆叠的膜层材料及单层膜层厚度，基于所述基准对准标记进行衍射光强仿真，以确定所述第一叠层结构的膜层层数；根据所述膜层层数于所述衬底上形成所述第一叠层结构，所述第一叠层结构包含由至少两种不同材料交替层叠的多个膜层；于所述第一叠层结构中形成参考对准标记，所述参考对准标记在所述衬底上的正投影位于所述基准对准标记在所述衬底上的正投影外。
全文数据：
权利要求：
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