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申请/专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种硅单晶中心氧含量控制方法及控制系统，属于半导体技术领域，在本申请的控制方法中，包括：获取横向磁场下生长硅单晶的参数，参数包括：坩埚底部氧含量、坩埚壁所产生的氧含量、气液二相挥发氧含量、中心对流与边缘对流交汇处的熔体流速，中心对流为坩埚内部中心处的熔体对流，边缘对流为坩埚内部靠近坩埚壁的熔体对流；根据参数，调整硅单晶中心氧含量。通过获取坩埚底部氧含量、坩埚壁所产生的氧含量、气液二相挥发氧含量以及熔体流速四个参数，以对氧的生成、传输及交换进行分析，更准确地分析出硅熔体中的氧在传输过程中的变化趋势，以提升制备硅单晶的产品质量。
主权项：1.一种硅单晶中心氧含量控制方法，其特征在于，包括：获取横向磁场下生长所述硅单晶的参数，所述参数包括：坩埚底部氧含量、坩埚壁所产生的氧含量、气液二相挥发氧含量、中心对流与边缘对流交汇处的熔体流速，所述中心对流为坩埚内部中心处的熔体对流，所述边缘对流为坩埚内壁处的熔体对流；根据所述参数，调整所述硅单晶中心氧含量。
全文数据：
权利要求：
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