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申请/专利权人:上海超导科技股份有限公司
摘要:本发明提供了一种离子束辅助沉积镀膜装置,包括:源系统:包括至少一组镀膜系统和至少一组刻蚀系统,镀膜系统包括离子源、蒸发源、激光源或电子束,刻蚀系统包括离子源;真空系统:提供真空环境;走带系统:对带材进行收放卷;控制系统:在控制系统的作用下,所述走带系统进行收放卷,所述镀膜系统对处于真空环境内的带材进行镀膜和或所述刻蚀系统对处于真空环境内的带材进行刻蚀。通过对前几道走带同时进行镀膜和刻蚀,且刻蚀速度大于镀膜速度,使净沉积速度很低,但由于高的刻蚀速度,在此沉积的氧化镁会形成极优的织构度,保证同根带材两端的织构度差别<10%,最终制备的超导带材,两端的临界电流差别小于10%,进而提高了镀膜效果。
主权项:1.一种用于离子束辅助沉积镀膜装置的镀膜系统,其特征在于,包括:源系统:包括至少一组镀膜系统和至少一组刻蚀系统,所述镀膜系统包括离子源,所述刻蚀系统包括离子源;真空系统:提供真空环境;走带系统:对带材进行收放卷;控制系统:在控制系统的作用下,所述走带系统进行收放卷,所述镀膜系统对处于真空环境内的带材进行镀膜和所述刻蚀系统对处于真空环境内的带材进行刻蚀;所述镀膜系统的离子源沿走带方向两侧的减速栅网网孔直径是中部的减速栅网网孔直径的1-1.8倍;所述镀膜系统发射的离子束包括聚焦束或平行束,所述刻蚀系统发射的离子束包括发散束或平行束,所述镀膜系统的聚焦栅网的焦距为10-50cm,所述镀膜系统的离子束中心线与靶材的锐角夹角的角度为45°±5°;所述刻蚀系统的离子束中心线与带材的锐角夹角的角度为45°±5°,所述镀膜系统包括至少三个离子源,位于走带方向两侧的离子源的射频线圈电压大于中部的离子源的射频线圈电压,镀膜系统和刻蚀系统二者分别同时对刻蚀区域内的多道带材进行刻蚀和镀膜,镀膜系统对镀膜区域内的多道带材进行镀膜,刻蚀区域相对于镀膜区域位于多道带材的前部走道;控制系统包括多个分段PID控制带材的走带速度,公里级带材的走带速度波动小于3%。
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