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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本实用新型提供了一种密封结构、一种工艺腔室，以及一种气相沉积设备。所述密封结构包括密封槽、密封圈及至少一道保护槽。所述密封槽位于待密封的第一对象。所述密封圈被设于所述密封槽中，其第一端接触所述密封槽，而其第二端接触待密封的第二对象，以实现所述第一对象与所述第二对象之间的密封。所述至少一道保护槽位于所述密封槽靠近腐蚀气体的一侧，以限制所述腐蚀气体流向所述密封圈。通过设置保护槽以及涂覆保护层的方法，本实用新型可以抑制反应气体对密封胶圈的腐蚀，以延长密封胶圈的使用寿命。
主权项：1.一种密封结构，其特征在于，包括：密封槽，位于待密封的第一对象；密封圈，被设于所述密封槽中，其第一端接触所述密封槽，而其第二端接触待密封的第二对象，以实现所述第一对象与所述第二对象之间的密封；以及至少一道保护槽，位于所述密封槽靠近腐蚀气体的一侧，以限制所述腐蚀气体流向所述密封圈。
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百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 密封结构、工艺腔室及气相沉积设备
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