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摘要：本发明提供了一种超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，所述方法包括：采用化学气相沉积工艺形成TaC粉末；以所述TaC粉末为原料采用烧结法形成TaC涂层。本发明以TaC粉末为原料采用烧结法形成TaC涂层，工艺路径简单，具有可持续生产和生产效率高等优点；并且通过本发明的方法制得的TaC粉末粒径更为均匀细腻，能够使以TaC粉末形成的TaC涂层的纯度更高，可达到半导体设备零部件的纯度要求，且采用化学气相沉积工艺形成的TaC粉末不易发生团聚，从而提升了TaC涂层对碳基材料的性能改善及其功能性。

主权项：1.一种超细TaC粉末制备TaC涂层的方法，其特征在于，所述方法包括：采用化学气相沉积工艺形成TaC粉末；以所述TaC粉末为原料，采用烧结法形成TaC涂层；其中，所述化学气相沉积工艺包括以下步骤：执行细化工艺，在第一保护气体下细化钽源粉末；以及，执行送料工艺，在载气和还原性气体下以第一摩尔比导入所述钽源粉末；以及，执行预热工艺，在第一温度维持第一时间段；以及，执行第一阶段沉积工艺，在第二保护气体下以第二摩尔比继续导入碳源气体，并且在第二温度维持第二时间段；以及，执行第二阶段沉积工艺，在第三时间段内从所述第二温度下降至第三温度；以及，执行回收工艺，采用真空回收装置收集所述TaC粉末，并中和尾气，即得到所述TaC粉末；执行细化工艺的过程中，所述第一保护气体包括Ar，所述钽源粉末包括TaCl5、TaBr5和TaF5中的一种或多种；执行细化工艺后得到的所述钽源粉末的粒度尺寸≤500μm；执行送料工艺的过程中，所述载气包括Ar，所述还原性气体包括H2；所述第一摩尔比为所述钽源粉末、所述还原性气体和所述载气的摩尔含量之比，所述第一摩尔比为1:1-2:0.5-2；执行预热工艺的过程中，所述第一温度为400℃-500℃，所述第一时间段为5s-10s；执行第一阶段沉积工艺的过程中，所述第二温度为1000℃-2000℃，所述第二时间段为10s-15s；执行第二阶段沉积工艺的过程中，所述第三温度为500℃-1500℃，所述第三时间段为10s-15s；所述第二温度大于所述第三温度；执行第一阶段沉积工艺的过程中，所述第二保护气体包括Ar，所述碳源气体包括CH4、C2H4、C2H6、C3H6和C3H8中的一种或多种；所述第二摩尔比为所述第二保护气体摩尔含量与所述钽源粉末、所述碳源气体、所述还原性气体和所述载气的摩尔总含量之比，所述第二摩尔比为1:2-5；所述TaC粉末的团聚体粒度尺寸≤1μm。

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