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申请/专利权人：武汉高芯科技有限公司
摘要：本发明提供了一种碲锌镉单晶生长方法及装置，该方法包括如下步骤：S1、第一碲锌镉材料装入第一晶体生长容器，对第一晶体生长容器抽真空密封；S2、第一晶体生长容器装入第二晶体生长容器内，第二晶体生长容器内填充第二碲锌镉材料，且第二碲锌镉材料的熔点小于第一碲锌镉材料的熔点；S3、对第二晶体生长容器抽真空封管，装入单晶炉内进行单晶生长；S4、第一晶体生长容器内生长的晶体即为所需碲锌镉单晶。该发明通过实行碲锌镉双界面晶体生长，对所需制备碲锌镉生长界面前沿进行温度动态补偿，同时利用碲锌镉自身热导率低的特点，采用低熔点碲锌镉包裹所需制备碲锌镉形成侧壁保温效应，利于大单晶的生长，同时也阻挡部分来自炉体温场不均匀的影响。
主权项：1.一种碲锌镉单晶生长方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将第一碲锌镉材料装入第一晶体生长容器内，并对第一晶体生长容器进行抽真空密封；S2、将真空密封的第一晶体生长容器装入第二晶体生长容器内，并在第二晶体生长容器与第一晶体生长容器之间填充第二碲锌镉材料，且第二碲锌镉材料的熔点小于第一碲锌镉材料的熔点；S3、对第二晶体生长容器进行抽真空密封，装入单晶炉内，进行碲锌镉单晶生长；S4、步骤S3晶体生长完成后，对第一晶体生长容器内生长的碲锌镉单晶进行脱模，即得所需的碲锌镉单晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉高芯科技有限公司 一种碲锌镉单晶生长方法及装置
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