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申请/专利权人：北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;北京大学
摘要：本发明公开了一种三维新型存储器阵列及其制备方法，属于半导体Semiconductor和CMOS混合集成电路技术领域，采用本发明可以实现三维1T1S1R阵列架构，从而能大幅度降低1S1R平面阵列对于选通管Selector非线性度的要求；并将1T1S1R阵列的存储密度提升到和目前NAND存储器相当的程度，远超过目前的1S1R阵列密度。
主权项：1.一种三维新型存储器阵列，其特征在于，包括交替堆叠的隔离介质层和存储单元层，在上述交替叠层上设置若干个垂直通孔，在每个垂直通孔内形成一列串联在一起的垂直晶体管，其中垂直晶体管的栅极由介质层、沟道包裹位于垂直通孔的中心，在每一存储单元层内设有由阻变相变磁阻铁电材料与选通材料形成的1S1R单元，该1S1R单元一端与垂直晶体管的沟道相连，组成1T1S1R单元，该1S1R单元的另一端与水平方向位线BL相连，源线SL由垂直晶体管沟道组成，与之对应的字线WL由垂直晶体管的栅极连接组成，每层存储单元层内的1S1R单元由所在层位线BL控制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 北京大学 一种三维新型存储器阵列及其制备方法
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