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申请/专利权人：三菱化学株式会社
申请日：2023-02-20
公开（公告）日：2024-10-01
公开（公告）号：CN118742677A
专利技术分类：..氮化物[2006.01]
专利摘要：本发明提供即使在高温环境中电阻率也大的SI基板或半绝缘性优异且晶体品质也优异的SI基板。本发明的GaN基板是掺杂有锰的GaN基板，该GaN基板是以式I：载流子浓度atomscm3＝A×EXP‑EakT表示载流子浓度时，载流子的激活能Ea为0.7eV以上的GaN基板、或者载流子迁移率相对于温度成正相关的GaN基板。
专利权项：1.一种GaN基板，其为掺杂有锰的GaN基板，以下述式I表示载流子浓度时，载流子的激活能Ea为0.7eV以上，载流子浓度atomscm3＝A×EXP-EakT···I式I中，A为比例常数，EXP为指数函数，Ea为载流子的激活能eV，k为玻尔兹曼常数8.617×10-5eVK，T为开尔文单位的温度K。
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皖公网安备 34010402703815号