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申请/专利权人：无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种免退火改善回流角的PECVDPSGBPSG薄膜制备工艺，属于半导体技术领域。本发明通过对BPSGPSG工艺温度（450‑500℃）、压力（3‑5torr）、极板间距（500‑550mils）、功率（700‑800w）的优化配合，各关键条件共同作用，实现降低反应速率、改善填充性能、减小回流角的效果，从而达到去掉退火工艺，显著降低生产成本的目的。
主权项：1.一种免退火改善回流角的PECVDPSGBPSG薄膜制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、设置PECVD系统中加热器的温度为450-500℃，并将晶圆放置在加热器上；S2、将液源前驱体通入腔体中；所述液源前驱体为硅液源前驱体、磷液源前驱体的组合，或者为硅液源前驱体、磷液源前驱体、硼液源前驱体的组合；S3、沉积：设置压力为3-5torr，极板间距为500-550mils，功率为700-800W下进行沉积；S4、沉积结束后，将氮气（N2）通入腔体内进行吹扫；S5、吹扫结束后，抽出腔室中的残留气体，使腔室恢复真空状态，取出相应PSGBPSG薄膜产品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡邑文微电子科技股份有限公司 江苏邑文微电子科技有限公司 一种免退火改善回流角的PECVD PSG/BPSG薄膜制备工艺
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