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申请/专利权人：中科特思信息技术(北京)有限公司

摘要：本发明公开了一种C波段基片集成波导环行器，包括PCB介质基板，PCB介质基板的上端壁和下端壁均覆有一金属层，PCB介质基板的厚度为0.76mm，PCB介质基板的相对介电常数为10，PCB介质基板上设有基片集成波导结构和圆柱形铁氧体，基片集成波导结构呈三角形结构设置，基片集成波导结构的三个侧边的中间分别凸设有与第一基片集成波导臂、第二基片集成波导臂以及第三基片集成波导臂，第一基片集成波导臂、第二基片集成波导臂以及第三基片集成波导臂内设置有线性渐变微带线，线性渐变微带线的后端部分别连接有一50欧姆微带线。本发明的技术方案具有高品质因数、低插入损耗、高功率容量、易于集成的优点，实现了在C波段具有良好非互易特性的功率传输。

主权项：1.一种C波段基片集成波导环行器，其特征在于，包括PCB介质基板，所述PCB介质基板的上端壁和下端壁均覆有一金属层，所述PCB介质基板的厚度为0.76mm，所述PCB介质基板的相对介电常数为10，所述PCB介质基板上设有基片集成波导结构和圆柱形铁氧体，所述基片集成波导结构呈三角形结构设置，所述基片集成波导结构的三个侧边的中间分别凸设有与第一基片集成波导臂、第二基片集成波导臂以及第三基片集成波导臂，所述第一基片集成波导臂和第二基片集成波导臂之间、第二基片集成波导臂和第三基片集成波导臂之间以及第一基片集成波导臂和第三基片集成波导臂之间的夹角均为120°，所述基片集成波导结构和PCB介质基板的中心凹设有一与所述圆柱形铁氧体相适配的容置槽，所述圆柱形铁氧体嵌设于所述容置槽内，且所述圆柱形铁氧体的上端壁盖设有一圆形金属片，所述圆柱形铁氧体的厚度为0.7mm，所述圆柱形铁氧体的半径R介于3.5mm~3.9mm之间，磁化强度4πMs介于1450Gauss~1800Gauss之间，相对介电常数εr介于12~16之间，所述第一基片集成波导臂、第二基片集成波导臂以及第三基片集成波导臂内设置有线性渐变微带线，所述线性渐变微带线的后端部分别连接有一50欧姆微带线，所述50欧姆微带线的后端部的端口均与所述PCB介质基板的边缘平齐且垂直设置，所述50欧姆微带线的宽度W50为0.67mm，所述第一基片集成波导臂和第二基片集成波导臂内的线性渐变微带线与所述50欧姆微带线之间的连接处均设有一圆弧微带线，所述圆弧微带线的半径与所述50欧姆微带线的宽度W50一致，所述圆弧微带线的圆心角为30°，所述50欧姆微带线之间合围形成一T型结构，所述线性渐变微带线与所述基片集成波导结构之间的连接处的宽度Wt介于3.1mm~3.6mm之间，所述线性渐变微带线的长度L介于4.6mm~5.1mm之间，所述基片集成波导结构的三个顶角处分别设有多排金属化通孔，两相邻的位于基片集成波导结构边缘上的金属化通孔之间的宽度We介于10.6mm~11.8mm之间，每排所述金属化通孔的孔间距s介于0.3mm~0.6mm之间，所述金属化通孔的内直径d介于0.6mm~1mm之间。

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