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申请/专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要：本发明提供一种电场调控低暗计数率锗硅光电探测器及其制备方法，用于解决现有的锗硅光电探测器难以满足器件室温工作的需求，以及暗电流、暗计数率过高等技术问题。该光电探测器主要采用双台面结构以及将P掺杂锗区、P掺杂硅区选区注入，通过将器件的核心工作区即高电场强度区的分布控制在远离侧壁区域，降低侧壁边界、氮化硅区内电场强度大小，可有效降低器件的暗电流和暗计数率，实现室温下近红外波段的光电探测。
主权项：1.一种电场调控低暗计数率锗硅光电探测器，包括由下至上依次设置的硅衬底10、氧化硅层20、N掺杂硅层30、本征硅层40、本征锗层60，以及氮化硅区80、负极金属90和正极金属100；其特征在于：所述N掺杂硅层30、本征硅层40、本征锗层60同轴设置且横向尺寸依次减小，形成双台面结构；所述本征硅层40的上表面中心处嵌有P掺杂硅区50，且P掺杂硅区50的上表面与本征硅层40的上表面齐平；所述本征锗层60的上表面中心处嵌有P掺杂锗区70，且P掺杂锗区70的上表面与本征锗层60的上表面齐平；所述P掺杂硅区50上表面的横向尺寸小于本征锗层60下表面的横向尺寸；P掺杂锗区70上表面的横向尺寸小于本征锗层60上表面的横向尺寸；所述氮化硅区80由上至下依次覆盖P掺杂锗区70、本征锗层60、本征硅层40及N掺杂硅层30；所述负极金属90和正极金属100均位于氮化硅区80内，且一端分别用于连接外部电源，负极金属90的另一端与N掺杂硅层30连接，正极金属100的另一端与P掺杂锗区70连接。
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