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申请/专利权人：四川师范大学
摘要：本发明公开了一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括，通过注入硫族离子完成衬底的离子注入；利用光刻技术完成样品的图案化处理，采用光刻设备在衬底上制备接触图案，并进行金属沉积，形成覆盖在衬底上的金属层；通过电子束蒸发金属沉积并形成电极；采用闪光灯退火完成对电极的退火处理，并形成欧姆接触。本发明能在金半界面处形成合金，实现对肖特基势垒的二次调控，并且通过检测步骤实现对接触电阻的监控，保证欧姆接触能够顺利实现。
主权项：1.一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S100、通过注入硫族离子完成衬底的离子注入；S200、利用光刻技术完成样品的图案化处理；其中，采用光刻设备在衬底上制备接触图案，并进行金属沉积，形成覆盖在衬底上的金属层；S300、通过电子束蒸发金属沉积并形成电极；S400、采用闪光灯退火方式完成对电极的退火处理，并形成欧姆接触，所述闪光灯退火的时间为1.3~20ms。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川师范大学 一种具备超低接触电阻的硅基半导体场效应晶体管及其制备方法
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