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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体领域，具体是一种磷化铟单晶的制备方法和磷化铟单晶生长用阶梯式坩埚。本发明提供的制备方法可以在同一反应空间制备得到不同尺寸的磷化铟单晶，最大尺寸可达6英寸，成品率高，位错密度（EPD）低，电性能均匀性好。实验表明，本发明通过所述制备方法，同时制备出3种尺寸的磷化铟单晶，生长的6英寸磷化铟单晶的成品率可以达到25%以上，EPD可以低于1500cm2，电性能均匀性达到90%以上，无论是成晶率、EPD还是电性能均匀性均明显优于等径生长容器中以不同冷凝速率生长得到的磷化铟单晶。
主权项：1.一种磷化铟单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将磷化铟单晶籽晶在阶梯状空间内的磷化铟多晶和S粉混合熔融液中冷凝生长，得到磷化铟单晶；所述阶梯状空间由下向上依次包括第一区域、第二区域和第三区域；所述第一区域、第二区域和第三区域的直径依次增大，相邻区域的直径差为25mm~50mm；所述磷化铟单晶籽晶在所述第一区域、第二区域和第三区域中的冷凝生长速率独立地为0.07mmh~0.12mmh，且所述磷化铟单晶籽晶在所述第一区域、第二区域和第三区域中的冷凝速率依次递减。
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