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申请/专利权人：江苏盘古半导体科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种三维板级扇出型封装结构及其制作方法，制作方法包括如下步骤：在承载片的正面和背面分别粘接上铜箔，形成复合载板；在复合载板上制作导电结构；在芯片一的焊盘上制作导电凸点；在复合载板上贴装芯片一；在复合载板上形成包覆导电结构和芯片一的塑封层；在塑封层表面分别制作重布线层和绝缘介质层；将承载片去除，得到封装半成品结构；在封装半成品结构的芯片一的背面分别制作重布线层和绝缘介质层；在封装半成品结构上制作信号导出结构和电连接结构；将芯片二倒装在电连接结构上，并利用外塑封保护层进行包裹，得到三维板级扇出型封装结构。本发明可以有效改善加工所产生的翘曲问题，又可以实现多功能集成以及降低加工成本。
主权项：1.一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，取一承载片，在该承载片的正面和背面分别通过粘合层粘接上铜箔，形成复合载板；S2，在复合载板的正面和背面分别制作导电结构；S3，取芯片一，并在芯片一的焊盘上制作导电凸点；S4，在复合载板的正面和背面贴装步骤S3的芯片一，芯片一的导电凸点朝外；S5，在复合载板的正面和背面分别形成包覆导电结构和带有导电凸点的芯片一的塑封层，并对塑封层进行减薄，直至露出导电结构的接口和导电凸点的接口；S6，在复合载板的两面的塑封层表面分别制作至少一层重布线层，且在每层重布线层上覆盖一层具有导通开孔的绝缘介质层；重布线层将导电结构的接口与芯片一的导电凸点的接口连通，并将信号导出；S7，将位于中间的承载片、承载片上的粘合层去除，得到两个封装半成品结构；S8，在封装半成品结构的芯片一的背面分别制作至少一层重布线层，且在每层重布线层上覆盖一层具有导通开孔的绝缘介质层；S9，在步骤S6形成的最外层的绝缘介质层的导通开孔处制作信号导出结构，在步骤S8形成的最外层的绝缘介质层的导通开孔处形成电连接结构；S10，将芯片二倒装在电连接结构上；S11，对芯片二利用外塑封保护层进行包裹，得到该三维板级扇出型封装结构。
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权利要求：
百度查询： 江苏盘古半导体科技股份有限公司 一种三维板级扇出型封装结构及其制作方法
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