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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明属于微电子技术领域，公开了一种基于高次模的单腔体双基团MPCVD装置及方法，大功率馈电系统包含大功率微波源、匹配系统及环形器、同轴转换装置和天线，馈电系统通过位于圆柱形金属谐振腔顶部的天线激励，使谐振腔准H20模被激励并在腔体内产生双波腹场。所述石英钟罩隔离一定区域形成低压环境，所述嵌套气体输送系统输送双路载气，并在钟罩内低压和高微波能量双波腹场区产生双等离子体基团。所述冷却系统和沉积生长衬底载体平台为工艺生长提供基片支撑和温度控制。所述装置实现基于单腔体的双基团激励，支持复杂生长和掺杂组合工艺。
主权项：1.一种基于高次模的单腔体双基团MPCVD装置，其特征在于，该装置包括：大功率馈电系统，圆柱形高次模金属谐振腔、石英钟罩、嵌套气体输送系统、冷却系统和沉积生长衬底载体平台；所述石英钟罩内处于低压下的气体在馈电波导输送的微波场高次模激励下将产生双等离子体球，通过载气和掺杂气体的控制可以实现基于单腔体的复杂生长和掺杂工艺；所述大功率馈电系统包含大功率微波源、匹配系统及环形器、同轴转换装置和天线，通过位于金属谐振腔顶部的天线激励，使圆柱形谐振腔准H20模被激励并在腔体内产生双波腹场。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种基于高次模的单腔体双基团MPCVD装置及方法
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