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申请/专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司;广东优普莱金刚石技术有限公司

摘要：本发明公开了一种防止籽晶位移的MPCVD金刚石培育方法及系统，所述方法包括：当对籽晶进行超过预设次数的升温测温操作时，将生长面朝上放置于钼托上的籽晶进行第一次翻转；将所述钼托放入反应腔内的基片台上，并对所述反应腔抽真空后，向所述反应腔内通入预设流量范围的氢气；将所述反应腔内氢气的流量增加至流量阈值范围，并升高微波发生器作用于所述籽晶的输出功率至预设输出功率，当所述籽晶的表面温度处于温度阈值范围内时，对所述籽晶的背面进行预设时间范围的刻蚀；当取出冷却后的所述钼托和所述籽晶时，将所述籽晶进行第二次翻转，使得所述籽晶的生长面朝上。本申请能够避免籽晶因气流冲击发生位移的情况，提高了金刚石生长的稳定性。

主权项：1.一种防止籽晶位移的MPCVD金刚石培育方法，其特征在于，所述防止籽晶位移的MPCVD金刚石培育方法包括：当对籽晶进行超过预设次数的升温测温操作时，将生长面朝上放置于钼托上的籽晶进行第一次翻转，使得所述籽晶的背面朝上；将所述钼托放入反应腔内的基片台上，并对所述反应腔抽真空后，向所述反应腔内通入预设流量范围的氢气，以起辉激发等离子体；将所述反应腔内氢气的流量增加至流量阈值范围，并升高微波发生器作用于所述籽晶的输出功率至预设输出功率，当所述籽晶的表面温度处于温度阈值范围内时，对所述籽晶的背面进行预设时间范围的刻蚀，以去除所述籽晶上的非晶碳沉积物；当取出冷却后的所述钼托和所述籽晶时，将所述籽晶进行第二次翻转，使得生长面朝上的所述籽晶放置于所述钼托上，以重新进行升温测温操作或开始生长金刚石；所述当对籽晶进行超过预设次数的升温测温操作时，具体包括：在反应腔中通入氢气并升温至生长温度阈值内后，获取所述籽晶的表面温度；计算所述表面温度与所述生长温度阈值的温差大小；当所述温差大小不符合温差要求，且当前升温测温操作的次数超过预设次数时，则判断已对所述籽晶进行超过预设次数升温测温操作；所述流量阈值范围为300sccm-500sccm，所述温度阈值范围为700℃-800℃，所述预设时间范围为5min-10min。

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