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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及剂量率建模技术领域，具体涉及一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置。该方法包括：建立MOS器件的剂量率模型；根据所述MOS器件的沟道长度，设置所述MOS器件的漏端光电流。本发明在经过对现有的MOS器件剂量率模型进行分析研究，发现沟道长度对于剂量率也存在重要的影响，但现有的MOS器件剂量率模型并没有在建模时并没有考虑到沟道长度对于剂量率的影响，从而导致现有技术方案在计算剂量率效应敏感体积时不够精确，最终无法准确表征模拟MOS器件的剂量率效应。本发明在设置所述MOS器件的漏端光电流时，充分考虑到了MOS器件的沟道长度对剂量率效应的影响，从而准确地表征模拟出MOS器件的剂量率效应。
主权项：1.一种MOS器件剂量率模型的建模方法，其特征在于，所述方法包括：建立MOS器件的剂量率模型；根据所述MOS器件的沟道长度和剂量率模型，设置所述MOS器件的漏端光电流；所述根据所述MOS器件的沟道长度和剂量率模型，设置所述MOS器件的漏端光电流，包括：计算所述MOS器件的漏端光电流iphdrnt，具体公式为： 其中，q为电子电量，Gn为电子空穴对产生率，Xj为结深，width为所述MOS器件的宽度，length为沟道长度，LD为少子的扩散长度，XD为耗尽区宽度，τp为p型少子寿命，T为辐照持续时间，kl1为第一拟合参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置
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