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申请/专利权人：豪威科技股份有限公司
摘要：本公开涉及竖直转移结构。例如用于图像传感器及电子装置的像素包含形成在半导体衬底中的光电二极管、浮动扩散区及选择性地将所述光电二极管耦合到所述浮动扩散区的转移结构。所述转移结构包含：转移门，其形成在所述半导体衬底上；以及竖直沟道结构，其包含形成在所述转移门与所述光电二极管之间的所述半导体衬底中的间隔开的第一掺杂区。每一间隔开的第一掺杂区以第一掺杂剂浓度掺杂有第一型掺杂剂。所述间隔开的第一掺杂区形成在以第二掺杂剂浓度掺杂有不同导电类型的第二型掺杂剂的第二掺杂区中。
主权项：1.一种像素，其包括：光电二极管，其形成在半导体衬底中且具有带有PD掺杂剂浓度的光电二极管掺杂区，其中所述光电二极管具有第一导电类型，其中所述半导体衬底具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；浮动扩散区，其形成在所述半导体衬底中且具有所述第一导电类型的FD掺杂剂浓度，其中所述FD掺杂剂浓度高于所述PD掺杂剂浓度；及转移结构，其选择性地将所述光电二极管耦合到所述浮动扩散区，其中所述转移结构包括：转移门，其形成在所述半导体衬底上；及竖直沟道结构，其包括形成在所述转移门与所述光电二极管之间的所述半导体衬底中的间隔开的第一掺杂区，其中每一间隔开的第一掺杂区以第一掺杂剂浓度掺杂有所述第二导电类型的第一型掺杂剂，其中所述间隔开的第一掺杂区形成在以第二掺杂剂浓度掺杂有所述第一导电类型的第二型掺杂剂的第二掺杂区中，其中所述第二掺杂剂浓度大于所述PD掺杂剂浓度，小于所述第一掺杂剂浓度，且小于所述FD掺杂剂浓度。
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百度查询： 豪威科技股份有限公司 竖直转移结构
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