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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，在去除形成于基板的表面的含硅膜时，在基板的面内的各部进行均匀性高的去除处理。进行包含以下工序的处理：将表面形成有含硅膜的基板保存在处理容器内；第一工序，在使所述处理容器内为第一压力的状态下，向所述基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，使所述含硅膜改性并生成反应生成物；第二工序，使所述处理容器内为低于所述第一压力的第二压力，来使所述反应生成物气化；重复工序，交替重复进行所述第一工序和所述第二工序，其中，所述重复工序中的第2次以后的所述第一工序为向残留有所述反应生成物的基板供给所述处理气体的工序。
主权项：1.一种基板处理方法，包括以下工序：将表面形成有含硅膜的基板保存在处理容器内，其中，所述基板具有第一凹部和第二凹部，所述含硅膜形成在所述第一凹部和所述第二凹部内；第一工序，在使所述处理容器内为第一压力的状态下，向所述基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，以使所述含硅膜改性并生成反应生成物；第二工序，使所述处理容器内为低于所述第一压力的第二压力，以使所述反应生成物气化；以及重复工序，交替重复进行所述第一工序和所述第二工序，其中，在交替重复进行所述第一工序和所述第二工序的所述重复工序中的第2次以后的所述第一工序中，向残留有所述反应生成物的基板供给所述处理气体，其中，通过变更排气阀的开度来调整所述处理容器内的压力，在所述第一工序中，所述排气阀的开度设置为第一开度，在所述第二工序中，所述排气阀的开度设置为比所述第一开度大的第二开度，且所述第二开度为不全开的开度，通过第1次的所述第一工序，使得所述第一凹部内生成的所述反应生成物的厚度大于所述第二凹部内生成的所述反应生成物的厚度，通过第1次的所述第二工序，使得所述第一凹部内残留的所述反应生成物的厚度大于所述第二凹部内残留的所述反应生成物的厚度，并且，通过所述重复工序，使得所述第一凹部内残留的所述含硅膜的高度与所述第二凹部内残留的所述含硅膜的高度对齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板处理方法以及基板处理装置
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