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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明的各个实施例针对电阻式随机存取存储器RRAM单元，该RRAM单元包括：顶电极阻挡层，被配置为阻挡氮或一些其它合适的非金属元素从RRAM单元的顶电极至RRAM单元的有源金属层的移动。阻挡非金属元素的移动可以防止有源金属层和顶电极之间的不期望的切换层的形成。不期望的切换层将增加RRAM单元的寄生电阻，从而使得顶电极阻挡层可以通过防止不期望的切换层的形成来减小寄生电阻。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
主权项：1.一种电阻式随机存取存储器RRAM单元，包括：底电极；切换层，位于所述底电极上方；有源金属层，位于所述切换层上方；顶电极，位于所述有源金属层上方，其中，所述顶电极包括金属元素和非金属元素，并且其中，所述顶电极对氧的反应性低于所述有源金属层；以及阻挡层，位于所述顶电极和所述有源金属层之间，其中，所述阻挡层是导电的并且被配置为阻挡所述非金属元素从所述顶电极至所述有源金属层的扩散，所述阻挡层的宽度大于所述顶电极的宽度，并且所述阻挡层直接接触所述有源金属层和所述顶电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 RRAM、集成芯片及其形成方法
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