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申请/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要：本发明公开一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置及生长方法。所述生长装置包括坩埚和位于所述坩埚中的模具，所述生长装置还包括：发热体，所述发热体位于所述坩埚外围，所述发热体的上边缘高于所述坩埚的上边缘10‑15mm；盖板，所述盖板盖于所述发热体上，所述盖板的中心处设置有通孔。本发明采用了一定的后热设计和大间距的隔热盖板，并结合特定的功率控制工艺，巧妙利用了氧化镓的结晶习性，实现了可控的分步放肩过程。放肩过程分步可控，避免了宽厚二维随机放肩，单晶成品率高。所有流程单次连续完成，流程简单。通常放肩三角部作为不可加工部分，会造成原料浪费，本发明这种方法大大降低了原料的浪费率。
主权项：1.一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置，所述生长装置包括坩埚5、模具4、坩埚盖2、发热体3和盖板1，其特征在于，所述模具4设置在坩埚5内，所述盖板1和坩埚盖2中心均设置有大尺寸通孔，分别为第一大尺寸通孔6和第二大尺寸通孔6'，所述第一大尺寸通孔6边缘与模具4边缘的水平距离差在5～20mm，所述第二大尺寸通孔6'与模具4边缘的水平距离差在1～2mm；所述坩埚盖2覆盖所述坩埚5上沿；所述盖板1覆盖所述发热体3上沿；所述发热体3呈环形包围所述坩埚5外围，且所述发热体3的上边缘高于所述坩埚5的上边缘10-15mm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置及生长方法
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