龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供了一种垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上外延高掺杂浓度p型金刚石外延层；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层，去除高掺杂浓度p型金刚石外延层背部的金刚石衬底；在轻掺杂p型金刚石外延层上刻蚀出圆柱形阴极区和场效应控制区，阴极区在圆柱的顶部；在轻掺杂p型金刚石外延层上形成N型掺杂；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的背面淀积阳极金属；在光刻阴极区形成氧化铝，淀积阴极金属；在阴极金属上制作阴极电极。本发明制备的肖特基二极管，降低了正向导通电阻，提升了反向击穿电压，从而提升了器件的功率品质因子。
主权项：1.一种垂直结构金刚石场效应肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，在金刚石衬底1上外延一层高掺杂浓度p型金刚石外延层2；步骤二，在所述高掺杂浓度p型金刚石外延层2的正面生长一层或多层轻掺杂p型金刚石外延层3，并去除所述高掺杂浓度p型金刚石外延层2背部的金刚石衬底1；步骤三，在所述轻掺杂p型金刚石外延层3上沉积介质作为掩模牺牲层4，刻蚀出窗口，使用干法刻蚀技术，刻蚀出圆柱形阴极区和场效应控制区，其中阴极区在圆柱的顶部，圆柱的侧壁为场效应控制区；步骤四，在所述轻掺杂p型金刚石外延层3上的N型注入区5，采用离子注入技术注入一层氮、磷、硫中一种或多种杂质，形成N型掺杂；然后去除圆柱顶部的掩模牺牲层4，高温退火实现杂质激活；步骤五，在所述高掺杂浓度p型金刚石外延层2的背面淀积阳极金属6，经退火形成欧姆接触，用于制备阳极电极；步骤六，利用原子层沉积技术在所述场效应控制区淀积场效应区介质层7；步骤七，光刻露出所述阴极区形成阴极窗口；步骤八，再次光刻所述阴极区，并在所述阴极区形成氧化铝8，选取与金刚石形成肖特基接触的金属，淀积阴极金属9；步骤九，在阴极金属9上淀积钝化介质层10；步骤十，在钝化介质层10上光刻出电极图形，刻蚀形成阴极电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号