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BSI器件的封装结构及封装方法 

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申请/专利权人:杭州积海半导体有限公司

摘要:本发明公开了一种BSI器件的封装结构及封装方法,属于芯片封装技术领域,该BSI器件的封装方法,包括提供一BSI器件;提供一具有空腔的玻璃芯基板;在玻璃芯基板上设置至少一贯穿的导电件;在空腔中设置芯片,并在玻璃芯基板的两侧分别形成第一RDL层和第二RDL层,第一RDL层和第二RDL层之间通过导电件相连,芯片与其中一RDL层互连;将BSI器件的底部与其中一RDL层互连。通过设置玻璃芯基板,其与硅的CTE相近,能够有效避免热应力导致翘曲,在玻璃芯基板上通过TGV设置导电件,基于导电件连接两侧RDL层,改善信号传输速度。

主权项:1.一种BSI器件的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一BSI器件;提供一具有空腔的玻璃芯基板;在所述玻璃芯基板上设置至少一贯穿的导电件;在所述空腔中设置芯片,并在所述玻璃芯基板的两侧分别形成第一RDL层和第二RDL层,其中,所述第一RDL层和第二RDL层之间通过导电件相连,所述芯片与其中一RDL层互连;将所述BSI器件的底部与所述其中一RDL层互连。

全文数据:

权利要求:

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