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申请/专利权人:上海川土微电子有限公司
摘要:本发明公开了一种输出级短路保护电路结构和classab类运算放大器,应用于运算放大器,所述输出级短路保护电路结构包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电流源、第五MOS管以及第二电流源;第一MOS管的源极与运算放大器中输出驱动管的栅极连接;第二MOS管的漏极、第三MOS管的源极连接后与第一MOS管的栅极连接;第四MOS管的栅极分别与第二MOS管的栅极、第四MOS管的漏极连接,且第四MOS管的漏极与第一电流源的一端连接;第五MOS管的栅极分别与第三MOS管的栅极、第五MOS管的漏极连接,第五MOS管的漏极与第二电流源的一端连接。本发明不会影响运算放大器正常工作时的性能,且响应速度快,能够避免保护不及时导致的大电流烧毁芯片。
主权项:1.一种输出级短路保护电路结构,应用于运算放大器,其特征在于,包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电流源、第五MOS管以及第二电流源;所述第一MOS管的源极与所述运算放大器中输出驱动管的栅极连接;所述第二MOS管的漏极、所述第三MOS管的源极连接后与所述第一MOS管的栅极连接;所述第四MOS管的栅极分别与所述第二MOS管的栅极、所述第四MOS管的漏极连接,且所述第四MOS管的漏极与第一电流源的一端连接;所述第五MOS管的栅极分别与所述第三MOS管的栅极、所述第五MOS管的漏极连接,所述第五MOS管的漏极与所述第二电流源的一端连接;所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的源极、所述第四MOS管的源极、所述第五MOS管的源极互相连接,所述第三MOS管的漏极、所述第一电流源的另一端、所述第二电流源的另一端互相连接。
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