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申请/专利权人：四川科尔威光电科技有限公司
摘要：本发明公开了一种高集成小型化半导体制冷器及其制备方法，包括陶瓷基板本体，陶瓷基板本体上开设有用于放置半导体制冷器的凹槽，半导体制冷器嵌入凹槽内与陶瓷基板本体的表面齐平。通过将半导体制冷器嵌入到陶瓷基板本体内部的凹槽内，保证了陶瓷基板本体表面的平整度，并且可以减小整个高速率通信模块的厚度，实现器件的小型化设计，同时将半导体制冷器的第二电极直接布设在凹槽底部，省略了下基板，可以减少基材使用，节约基板成本，将半导体制冷器内嵌后，在半导体制冷器上基板的上表面还可以布设其他电路，进一步缩小了高速率通信模块的整体尺寸。
主权项：1.一种高集成小型化半导体制冷器，其特征在于，包括高速率通信模块的陶瓷基板本体（2），陶瓷基板本体（2）上开设有用于放置半导体制冷器（1）的凹槽（21），半导体制冷器（1）嵌入凹槽（21）内与陶瓷基板本体（2）的表面齐平，半导体制冷器（1）包括上基板（11）和多个半导体晶粒（13），上基板（11）盖设在凹槽（21）上方，上基板下沉到凹槽内，上基板的上表面与陶瓷基板本体（2）凹槽（21）的槽口面在同一水平面，上基板（11）为绝缘的金属化陶瓷基，使得上基板（11）盖设在凹槽（21）上方后与陶瓷基板本体（2）表面在同一水平面；在上基板（11）面向凹槽（21）底部的下表面设有多个第一电极（12），凹槽（21）底部的表面对应设有多个第二电极（14），半导体晶粒（13）设置在上基板（11）和凹槽（21）底部之间，且半导体晶粒（13）的两端分别与第一电极（12）和第二电极（14）电性连接，在凹槽（21）底部一侧两端的第二电极（14）作为输入电极和输出电极，从输入电极和输出电极分别引出导线（16）沿着凹槽（21）侧壁延伸至陶瓷基板本体（2）表面与陶瓷基板本体（2）表面的供电电极（22）电性连接。
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