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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：1将来自直流DC功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；2将工艺气体导入工艺腔室；3从射频RF功率源施加功率至喷头；4在基板上执行处理；5停止施加RF功率；6从工艺腔室移除工艺气体；以及7停止施加DC功率。
主权项：1.一种用于在工艺腔室内处理基板的方法，包括：将直流施加至设置于基座内的电极，所述基板在所述工艺腔室内设置于所述基座上；在将所述直流施加至所述电极之后，使包括氦的一种或多种第一工艺气体流动进入所述工艺腔室；在使所述一种或多种第一工艺气体通过所述工艺腔室内的喷头流动进入所述工艺腔室之后，以第一射频RF功率电平将RF功率施加至所述喷头；使一种或多种第二工艺气体流动进入所述工艺腔室，同时将所述一种或多种第一工艺气体从所述工艺腔室移除；在以所述第一RF功率电平施加所述RF功率之后，将由所述一种或多种第一工艺气体和所述一种或多种第二工艺气体中的至少一者产生的等离子体施加至所述基板；在将所述等离子体施加至所述基板之前或期间的至少一者，将所述RF功率增大到第二RF功率电平；在将所述RF功率增大到所述第二RF功率电平之后，使所述一种或多种第一工艺气体流动进入所述工艺腔室，同时将所述一种或多种第二工艺气体从所述工艺腔室移除；在将所述等离子体施加至所述基板之后，停止所述RF功率的所述施加；在所述停止RF功率的所述施加之后，从所述工艺腔室移除所述一种或多种第一工艺气体；以及在所述停止RF功率的所述施加之后移除所述一种或多种第一工艺气体之后，停止所述直流的所述施加。
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