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申请/专利权人：深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司
摘要：本公开提供一种掩膜的制造方法和半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，掩膜的制造方法包括：提供包括第一和第二掩膜层的掩膜层，第二掩膜层有第一掩膜部和与第一掩膜部均相邻的第二和第三掩膜部；在相邻掩膜部间贯穿第二掩膜层的第一开口填充绝缘部；形成有第二和第三开口的掩膜结构，第二开口在第一掩膜层的正投影与第二掩膜部在第一掩膜层的正投影交叠并与第一掩膜部在第一掩膜层的正投影不交叠，第三开口在第一掩膜层的正投影与第三掩膜部在第一掩膜层的正投影部分交叠，并与第一掩膜部在第一掩膜层的正投影不交叠；用掩膜结构执行刻蚀以截断第二和第三掩膜部，在刻蚀期间，第二和第三掩膜部的刻蚀速率大于绝缘部的刻蚀速率。
主权项：1.一种掩膜的制造方法，包括：提供掩膜层，所述掩膜层包括第一掩膜层和在所述第一掩膜层上的第二掩膜层，所述第二掩膜层具有在第一方向上间隔排列的多个掩膜部，相邻的掩膜部之间具有贯穿所述第二掩膜层的第一开口，所述多个掩膜部包括第一掩膜部、以及与所述第一掩膜部均相邻的第二掩膜部和第三掩膜部，所述多个掩膜部的材料相同；在所述第一开口中填充绝缘部；在所述绝缘部和所述多个掩膜部上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构具有在所述第一方向上间隔排列的第二开口和第三开口，其中：所述第二开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第二掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠，并且与所述第一掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影不交叠，所述第三开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第三掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠，并且与所述第一掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影不交叠；以及以所述绝缘部和所述第一掩膜层为停止层，利用所述第一掩膜结构执行第一刻蚀，以截断所述第二掩膜部和所述第三掩膜部，其中，在所述第一刻蚀期间，所述第二掩膜部和所述第三掩膜部的刻蚀速率大于所述绝缘部的刻蚀速率，所述绝缘部用于保护所述第一掩膜部位于所述第二掩膜部的截断区域与所述第三掩膜部的截断区域之间的部分不被刻蚀。
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百度查询： 深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司 掩膜的制造方法和半导体器件的制造方法
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