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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：本发明提供一种碳化硅衬底，包括具有第一表面以及相反于第一表面的第二表面的N型碳化硅衬底。N型碳化硅衬底包括半绝缘型碳化硅区以及N型碳化硅区。半绝缘型碳化硅区从第一表面往N型碳化硅衬底内延伸至一深度。半绝缘型碳化硅区包括氮元素以及第一掺杂物。第一掺杂物包括VB族元素、VIIA族元素、氩以及硅中的至少一种。N型碳化硅区相邻于半绝缘型碳化硅区，且包括氮元素。
主权项：1.一种碳化硅衬底，其特征在于，包括：N型碳化硅衬底，具有第一表面以及相反于所述第一表面的第二表面，其中所述N型碳化硅衬底包括：半绝缘型碳化硅区，从所述第一表面往所述N型碳化硅衬底内延伸至一深度，所述半绝缘型碳化硅区包括氮元素以及第一掺杂物，所述第一掺杂物包括VB族元素、VIIA族元素、氩以及硅中的至少一种；以及N型碳化硅区，相邻于所述半绝缘型碳化硅区，且包括氮元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 碳化硅衬底及其制造方法
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