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申请/专利权人:索泰克公司
摘要:本发明涉及一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底1,其包括:‑硅载体衬底2,‑布置在所述载体衬底上的电绝缘层3,‑布置在所述电绝缘层上的单晶层4,所述衬底1的主要特征在于,其还包括布置在所述载体衬底2和所述电绝缘层3之间的碳化硅SiC层5,该层的厚度为1nm至5nm,所述碳化硅SiC层的在所述电绝缘层3一侧的表面6是粗糙的。
主权项:1.一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底1,其包括:-硅载体衬底2,-布置在所述载体衬底上的电绝缘层3,-布置在所述电绝缘层上的单晶层4,所述衬底1的特征在于,其还包括布置在所述载体衬底2和所述电绝缘层3之间的碳化硅SiC层5,该层的厚度为1nm至5nm,所述碳化硅SiC层的在所述电绝缘层3一侧的表面6的粗糙度高于或等于10nmRMS。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 索泰克公司 用于射频应用的绝缘体上半导体衬底
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