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申请/专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;张江国家实验室
摘要：本申请提供一种晶圆结构的制造方法，包括提供衬底，以及在衬底上形成多个半导体器件组，每个半导体器件组包括至少一个半导体器件，半导体器件包括埋氧层、埋氧层上的沟道层和沟道层上的栅极结构，栅极结构包括从沟道层向上依次层叠的高k介质层、N型功函数层和金属间隙填充层，多个半导体器件组包括第一器件组和第二器件组，第一器件组和第二器件组中的半导体结构还包括P型功函数层。第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件中P型功函数层的厚度不同，和或，第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，这样可以实现在同一晶圆上制造不同阈值电压的器件，易于实施，提高了器件的制造效率。
主权项：1.一种晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个半导体器件组；每个半导体器件组包括至少一个半导体器件；所述半导体器件的形成过程包括：形成所述衬底上的埋氧层、所述埋氧层上的沟道层和所述沟道层上的栅极结构，所述栅极结构包括从所述沟道层向上依次层叠的高k介质层、N型功函数层和金属间隙填充层；所述多个半导体器件组包括第一器件组和第二器件组，所述第一器件组和所述第二器件组中的半导体结构还包括所述高k介质层和所述N型功函数层之间的P型功函数层；所述第一器件组中的半导体器件和所述第二器件组中的半导体器件中P型功函数层的厚度不同，和或，所述第一器件组中的半导体器件和所述第二器件中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，所述掺杂状态包括所述衬底与所述衬底上的沟道层的掺杂类型相同或相反。
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百度查询： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 张江国家实验室 一种晶圆结构的制造方法
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