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申请/专利权人：南京邮电大学

摘要：本发明公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明通过旋涂的方式，在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜，隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力，阻碍了表面偶极子的形成，且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜，极大的提高了上层PVA薄膜质量，改善了PVA薄膜形貌。

主权项：1.一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的；所述聚乙烯醇溶液为聚乙烯醇溶于二甲基亚砜溶剂中形成；所述源漏电极的材料为金属Cu；所述有机半导体层的材料为并五苯；所述栅绝缘层的材料为二氧化硅；所述栅电极为高掺杂硅；所述存储器的制备方法包括以下步骤：步骤1）配制疏水薄膜层材料溶液：将聚四氟乙烯悬浊液分散于水中，稀释后的浓度为6%~17%，超声处理15min，即得疏水薄膜溶液，备用；步骤2）配制电荷存储层材料溶液：将聚乙烯醇溶于二甲基亚砜溶剂中，其浓度为3mgmL，80℃条件下加热使其完全溶解，静置，即得聚乙烯醇溶液，备用；步骤3）以栅电极及在其之上生长的栅绝缘层作为基底，并依次经过丙酮、乙醇、去离子水清洗，烘干处理；步骤4）将经步骤3）处理后洁净的基底放置紫外臭氧处理5~10min；步骤5）将步骤1）配制好的疏水薄膜溶液用0.22μm过滤网过滤，用注射器吸取并注射在经步骤4）处理的基底上旋涂制膜，将旋涂好的样品放置在80℃的烘箱内30min，去除多余溶剂，得到疏水薄膜层；步骤6）将步骤5）制得的样品冷却至室温，注射器吸取步骤2）配制好的聚乙烯醇溶液并在步骤5）制得的疏水薄膜层上旋涂制膜，将旋涂好的样品放置在80℃的烘箱内30min，去除多余溶剂，得到电荷存储层；步骤7）在步骤6）制得的电荷存储层上面依次真空蒸镀有机半导体层和源漏电极，即得。

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