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申请/专利权人：华南理工大学

摘要：本发明公开了一种通过界面补偿消除柔性集成器件残余应力的方法。所述方法为：1通过氧气等离子处理衬底，提高衬底分子键合能力，实现PI与缓冲层的高粘附性；2利用沉积速率较温和的等离子体增强化学气相沉积制备SiOxSiNx叠层薄膜，作为PI缓冲层、栅绝缘层和钝化层；SiOxSiNx叠层薄膜与铜合金残余应力种类相反，可以相互补偿抵消，减少残余应力；3铜合金电极在高温退火后，微量掺杂的CrZr被排出晶格，在半导体电极界面处与铟锌反应吸收能量，可以将部分界面残余应力的机械能转化为化学能，可以进一步消除残余应力。本发明所提出的工艺路径可以从制备器件的源头消除残余应力，是一种行之有效的方法。

主权项：1.一种通过界面补偿消除柔性集成器件残余应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对柔性基底进行氧气等离子处理，处理条件为：功率为50～100W，气压为0.3～1Torr，处理时间为5～10分钟；（2）采用等离子体增强化学气相沉积法在氧气等离子处理后的柔性基底上制备SiOxSiNx叠层薄膜作为柔性基底缓冲层，条件为：功率80～120W，气压0.5～2Pa，温度200～400℃；（3）利用脉冲直流溅射工艺制备铜合金栅电极，然后采用光刻工艺制备图形化的栅极互联线；（4）对栅极进行至少两个温度的氮气梯度温度退火，退火100～400℃，时间为0.5～3h；（5）采用与步骤（2）相同条件的等离子体增强化学气相沉积法制备SiOxSiNx叠层薄膜作为栅极绝缘层；（6）利用脉冲直流溅射工艺制备IGZO半导体层，并通过光刻图案化，在背沟道覆盖刻蚀阻挡层；（7）利用脉冲直流溅射工艺制备铜合金源漏电极，再利用光刻图形化，得到柔性器件集成阵列；（8）对柔性器件集成阵列进行退火处理，条件为：在气压5～20mTorr下，100～400℃退火，时间0.5～3h；（9）在退火后的柔性器件集成阵列上采用与步骤（2）相同条件的等离子体增强化学气相沉积法沉积SiOxSiNx叠层薄膜作为钝化层；步骤（3）所述脉冲直流溅射工艺为：溅射功率为60～120W，气压为1～5mTorr，纯氩气气氛，频率为10～20kHz，占空比为80～98%；铜合金栅电极的厚度为100～200nm；步骤（6）所述脉冲直流溅射工艺为：溅射功率为60～120W，气压为1～5mTorr，氩气氧气比例为99:1～90:10，频率10～20kHz，占空比80～98%，IGZO半导体层的厚度为10～30nm；步骤（7）所述脉冲直流溅射工艺为：溅射功率为60～120W，气压为1～5mTorr，纯氩气气氛，频率10～20kHz，占空比80～98%，铜合金源漏电极的厚度为100～200nm。

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