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申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括源极、漏极、闸极、通道结构、支撑层以及闸极电介质层。漏极与源极在垂直方向上堆叠设置，闸极设置在漏极与源极之间。通道结构部分设置在闸极内，并连接漏极与源极。支撑层设置在通道结构的侧壁上。闸极电介质层部分在水平方向上设置在通道结构与闸极之间，并部分设置在支撑层与闸极之间。如此，借助支撑层的设置，使得闸极电介质层可围绕着闸极设置，有效地改善半导体器件的操作表现。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：源极；漏极，所述源极与所述漏极在垂直方向上堆叠设置；闸极，设置在所述源极与所述漏极之间；通道结构，部分设置在所述闸极内，并连接所述漏极与所述源极；支撑层，设置在所述通道结构的侧壁上；以及闸极电介质层，部分在水平方向上设置在所述通道结构与所述闸极之间，并部分设置在所述支撑层与所述闸极之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件及其制作方法
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