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申请/专利权人：上海矽印科技有限公司
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制备方法，该CMOS图像传感器包括多个图像采集电路，图像采集电路包括外延片以及位于外延片一侧表面的转移单元、浮置扩散节点、光电转换单元、复位单元、跟随单元和行选单元；外延片包括衬底基板和外延层；转移单元包括转移晶体管，转移晶体管包括第一电极层、第二电极层、控制电极和有源层；浮置扩散节点与第二电极层电连接；第一电极层位于外延片的一侧表面，有源层至少位于第一电极层背离外延片的一侧表面，第二电极层位于有源层背离外延片一侧的至少部分表面，控制电极至少部分覆盖有源层的侧壁。本发明提供的技术方案，可以提高转移晶体管的工作可靠性，进而提高CMOS图像传感器的工作稳定性和使用寿命。
主权项：1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括多个图像采集电路，所述图像采集电路包括外延片以及位于所述外延片一侧表面的转移单元、浮置扩散节点、光电转换单元、复位单元、跟随单元和行选单元；所述外延片包括衬底基板和外延层；所述光电转换单元与所述转移单元电连接，所述转移单元通过所述浮置扩散节点分别与所述复位单元和所述跟随单元电连接，所述复位单元还与驱动端电连接，所述跟随单元分别与所述转移单元、所述驱动端电连接和所述行选单元电连接，所述行选单元还与输出端电连接；所述复位单元用于将所述转移单元提供的电信号传输至所述驱动端，所述跟随单元用于根据所述转移单元提供的电信号，向所述行选单元输入像素信号，所述行选单元用于将所述像素信号传输至所述输出端；所述转移单元包括转移晶体管，所述转移晶体管包括第一电极层、第二电极层、控制电极和有源层；所述浮置扩散节点与所述第二电极层电连接；所述第一电极层位于所述外延片的一侧表面，所述有源层至少位于所述第一电极层背离所述外延片的一侧表面，所述第二电极层位于所述有源层背离所述外延片一侧的至少部分表面，所述控制电极至少部分覆盖所述有源层的侧壁。
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权利要求：
百度查询： 上海矽印科技有限公司 一种CMOS图像传感器及其制备方法
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