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申请/专利权人：深圳佰维存储科技股份有限公司
摘要：本申请提供了一种芯片堆叠结构、存储器及电子设备，涉及芯片领域。芯片堆叠结构包括基板和间隔设置于基板的至少两个芯片组。每相邻两个芯片组中：第一芯片分组中紧邻引线上流体层的一个芯片采用重布线层技术制成，并通过穿设于引线上流体层的第一键合线与第三芯片分组中位于最上层的芯片连接，第四芯片分组中位于最上层的芯片采用重布线层技术制成，并通过第二键合线与第二芯片分组中位于最下层的芯片连接。本申请提供的芯片堆叠结构，在进行芯片堆叠的基础上，利用了FOW技术和RDL技术使得每相邻两个芯片组实现互连，与单堆叠结构和双堆叠结构相比，具有更高的空间利用率，芯片堆叠所占用的空间更小，从而更有利于存储器的小型化设计。
主权项：1.一种芯片堆叠结构，其特征在于，包括：基板；至少两个芯片组，间隔地设置于所述基板上，在每相邻两个所述芯片组中：其中一个所述芯片组包括第一芯片分组、第二芯片分组和引线上流体层，所述第一芯片分组位于所述基板和所述第二芯片分组之间，所述引线上流体层设置于所述第一芯片分组中的两个所述芯片之间或者设置于所述第一芯片分组和所述第二芯片分组之间；其中另一个所述芯片组包括第三芯片分组和第四芯片分组，所述第三芯片分组设置于所述基板和所述第四芯片分组之间；其中，所述第一芯片分组中紧邻所述引线上流体层的一个所述芯片采用重布线层技术制成，并通过穿设于所述引线上流体层的第一键合线与所述第三芯片分组中位于最上层的所述芯片连接，所述第四芯片分组中位于最上层的所述芯片采用重布线层技术制成，并通过第二键合线与所述第二芯片分组中位于最下层的所述芯片连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳佰维存储科技股份有限公司 一种芯片堆叠结构、存储器及电子设备
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