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摘要：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种锗终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述锗终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上形成有锗终端金刚石导电沟道；锗终端金刚石导电沟道上设置有源电极和漏电极，源电极、漏电极均与锗终端金刚石导电沟道形成欧姆接触；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间区域之外裸露的锗终端金刚石导电沟道区域设置为氧终端区域；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的锗终端金刚石导电沟道上设置有介质层；介质层上设有栅电极。本发明采用锗终端金刚石导电沟道的技术手段，场效应晶体管具有稳定性好、界面态密度低、载流子迁移率高的优点。
主权项：1.一种锗终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，包括：单晶金刚石衬底1、锗终端金刚石导电沟道2、源电极3、漏电极4、氧终端5、介质层6和栅电极7；其中，所述单晶金刚石衬底1上形成有所述锗终端金刚石导电沟道2；所述锗终端金刚石导电沟道2上设置有所述源电极3和所述漏电极4，所述源电极3、所述漏电极4均与所述锗终端金刚石导电沟道2形成欧姆接触；所述源电极3、所述漏电极4以及所述源电极3和所述漏电极4之间区域之外裸露的锗终端金刚石导电沟道区域设置为氧终端5区域；所述源电极3、所述漏电极4以及所述源电极3和所述漏电极4之间的锗终端金刚石导电沟道区域设置有所述介质层6；所述介质层6上设有所述栅电极7。
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百度查询： 西安交通大学 一种锗终端金刚石场效应晶体管及其制备方法
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